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SUD35N10-26P-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

SUD35N10-26P-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：剪切帶 (CT)

SUD35N10-26P-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：Digi-Reel®

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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 6POS STRAIGHT W/PINS
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FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 20V TO252
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS FREE HNG W/PINS