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SI7463DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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SI7463DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7463DP-T1-E3供應商

SI7463DP-T1-E3 深圳市歐和寧電子有限公司 0755-29275935
SI7463DP-T1-E3 輝華拓展 0755-82575207
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SI7463DP-T1-E3 深圳市芯福林電子科技有限公司 13786598841微信

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芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 5.10K OHM 1/4W .5% SMD 1206
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD

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SI7463DP-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI7463DP-T1-E3詳細規格

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