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SI6423DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6423DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6423DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6423DQ-T1-E3供應商

SI6423DQ-T1-E3 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
SI6423DQ-T1-E3 深圳市科恒偉業電子有限公司 0755-83200050
SI6423DQ-T1-E3 瀚佳科技（深圳）有限公司 0755-23915992
SI6423DQ-T1-E3 上海熠富電子科技有限公司 15821228847 /
SI6423DQ-T1-E3 IC 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
SI6423DQ-T1-E3 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SI6423DQ-T1-E3 上海鑫豐電子技術有限公司 021-51875986/
SI6423DQ-T1-E3 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-9698
SI6423DQ-T1-E3 深圳市創芯聯盈電子有限公司 0755-88291559
SI6423DQ-T1-E3 深圳市恒意法電子有限公司 18026926850/0
SI6423DQ-T1-E3 IC 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
SI6423DQ-T1-E3 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
SI6423DQ-T1-E3 IC 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
SI6423DQ-T1-E3 深圳國芯暉科技有限公司 18923819169
SI6423DQ-T1-E3 深圳市川藍電子科技有限公司 0755-82522939
SI6423DQ-T1-E3 IC 深圳誠思涵科技有限公司 0755-83015506

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