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IRF6655TR1 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF6655TR1詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V
功率_最大：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH
供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH
包裝：帶卷 (TR)

IRF6655TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V
功率_最大：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH
供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH
包裝：帶卷 (TR)

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