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IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6662TR1PBF供應商

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嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 50MHZ 256-PBGA
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AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT06E10-6SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/SKT CABLE
KPSE01F20-41S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS CBL MNT W/SKTS
K393K20X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 100V 10% RADIAL
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FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8