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IDT70V3319S166PRF8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步; 存儲容量：4.5M（256K x 18）; 速度：166MHz; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：128-LQFP; 供應商器件封裝：128-TQFP（14x20）; 包裝：帶卷 (TR)

IDT70V3319S166PRF8供應商

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DSF050J394
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.39UF 50VDC RADIAL
IHSM4825EB8R2L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 8.2UH 3.3A SMD
IDT70V3319S166BC8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA
GRM31M5C1H563JA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206
LGW2D681MELA35
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP
DS1100Z-40/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS
IMC1210SYR18K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 10% 1210
DSF050J473
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL
LGW2E271MELZ25
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP
DS1100Z-40+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P13P
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P13 POS C
IMC1210SYR18M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 20% 1210
IHSM4825ER151L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 150UH .58A SMD
LGW2E331MELA25
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP