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» 型號(hào)"LGW2E271MELZ25"的供應(yīng)信息
LGW2E271MELZ25 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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LGW2E271MELZ25詳細(xì)規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP
系列:GW
制造商:Nichicon
電容:270µF
額定電壓:250V
容差:±20%
壽命0a0溫度:105°C 時(shí)為 3000 小時(shí)
工作溫度:-40°C ~ 105°C
特點(diǎn):通用
紋波電流:1.65A
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
阻抗:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:0.866" 直徑(22.00mm)
高度_座高(最大):0.984"(25.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
LGW2E271MELZ25供應(yīng)商
LGW2E271MELZ25
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
LGW2E271MELZ25
深圳市科雨電子有限公司
171-4729-9698
LGW2E271MELZ25
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62104931、
LGW2E271MELZ25
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
LGW2E271MELZ25
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGW2E271MELZ25
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多LGW2E271MELZ25的供應(yīng)商
IHSM4825EB8R2L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 8.2UH 3.3A SMD
IDT70V3319S166BC8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA
GRM31M5C1H563JA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206
LGW2D681MELA35
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP
DS1100Z-40/T&R
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS
IMC1210SYR18K
固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 180NH 10% 1210
DSF050J473
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL
IHSM4825ER101L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 100UH .73A SMD
DS1100Z-40+
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P13P
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P13 POS C
IMC1210SYR18M
固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 180NH 20% 1210
IHSM4825ER151L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 150UH .58A SMD
LGW2E331MELA25
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP
DS1100Z-40+T
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
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