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IDT70V3319S166BC8詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步; 存儲容量：4.5M（256K x 18）; 速度：166MHz; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：256-LBGA; 供應商器件封裝：256-CABGA（17x17）; 包裝：帶卷 (TR)

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DTS060250UDC-P12/RN
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG
GRM31CR72E333KW03L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
IDT70V3319S133BFI
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA
IHSM4825EB6R8L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD
DS1100Z-300+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 300NS 8-SOIC
LGW2D561MELZ35
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 560UF 200V 20% SNAP
IMC1210SYR12J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 120NH 5% 1210
DTS060250UDC-P5/RN
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2500MA P5 RA NEG
DSF050J394
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.39UF 50VDC RADIAL
GRM31M5C1H563JA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206
LGW2D681MELA35
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP
DS1100Z-40/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS
IMC1210SYR18K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 10% 1210
DSF050J473
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL