IRFZ48NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ48NLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ48NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ48NS詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFZ48NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFZ48NSTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 其它 International Rectifier IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- 刻度盤 Bourns Inc. 9-DIP 模塊，1/2 磚 COUNTING DIAL W/BRAKE BLACK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- PMIC - PFC（功率因數修正） International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
021-62153656青 
0755-83222787 
