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H4BBG-10102-B8-ND 全國供應商、價格、PDF資料

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H4BBG-10102-B8-ND詳細規格: 類別：跳線，預壓接線; 描述：JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"; 系列：DF13; 制造商：Hirose Electric Co Ltd; 接觸端：插口至插口; 長度：2.0"（50.8mm）; 線規：28 AWG; 觸頭鍍層：金; 顏色：黑; 排數：1; 導體數：1; 觸頭鍍層厚度：-

ISC1812ESR68M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 680NH 20% 1812
IRFZ44VSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
FDS6982
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
IR11452STRPBF
其它 International Rectifier IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
H-494-3
刻度盤 Bourns Inc. 9-DIP 模塊，1/2 磚 COUNTING DIAL W/BRAKE BLACK
GJM0335C1E5R7WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
IRFZ46ZL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
ISC1812ET220K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1812
IRFZ48NL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
FDS6982AS
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
ISC1812ET3R3K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1812
IRFZ48NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
GJM0335C1E5R7WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
IRFZ48S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
H4BBG-10102-G1-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"

H4BBG-10102-B8-ND 全國供應商、價格、PDF資料

H4BBG-10102-B8-ND詳細規格

H4BBG-10102-B8-ND供應商