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VEMT2000X01 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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VEMT2000X01詳細規格

類別：光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管
描述：PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
系列：-
制造商：Vishay Semiconductors
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
電流_暗333Id444（最大）：100nA
波長：860nm
視角：30°
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
方向：頂視圖
封裝/外殼：2-SMD，Z形彎曲d

VEMT2000X01詳細規格

類別：光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管
描述：PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
系列：-
制造商：Vishay Semiconductors
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
電流_暗333Id444（最大）：100nA
波長：860nm
視角：30°
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
方向：頂視圖
封裝/外殼：2-SMD，Z形彎曲d

VEMT2000X01詳細規格

類別：光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管
描述：PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
系列：-
制造商：Vishay Semiconductors
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
電流_集電極333Ic444（最大）：50mA
電流_暗333Id444（最大）：100nA
波長：860nm
視角：30°
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
方向：頂視圖
封裝/外殼：2-SMD，Z形彎曲d

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