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VEC2102-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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VEC2102-TL-E詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：1.1W
頻率_轉換：380MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：8-VEC
包裝：剪切帶 (CT)

VEC2102-TL-E詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：1.1W
頻率_轉換：380MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：8-VEC
包裝：帶卷 (TR)

VEC2102-TL-E詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：1.1W
頻率_轉換：380MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：8-VEC
包裝：Digi-Reel®

VEC2102-TL-E供應商

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