STW62NM60N 全國供應商、價格、PDF資料
STW62NM60N詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N CH 600V 55A TO-247
- 系列：Mdmesh™ II
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 23A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5700pF @ 100V
- 功率_最大：350W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3
- 供應商設備封裝：TO-247
- 包裝：管件
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 1GB 200-SODIMM
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS BI-DIR 11V 1500W SMC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- FET - 單 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU 16BIT 8K FLASH 40-QFN
- 線槽，走線系統 - 附件 Panduit Corp 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） COVER RCWAY TC130 MD OWH10’
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AA，SMB TVS UNI-DIR 20V 600W SMB
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM
- FET - 單 STMicroelectronics TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU 16BIT 8K FLASH 40-QFN
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIRECT 600W 20V 5% SMB
- PMIC - 穩壓器 - 線性 + 切換式 Microchip Technology 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM VLP
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1500W 120V SMC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
0755-82575207 
0755-23914006 
