STW54NM65ND詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
- 系列:FDmesh™ II
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:650V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 24.5A, 10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:188nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:6200pF @ 50V
- 功率_最大:350W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 供應商設備封裝:TO-247-3
- 包裝:管件
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 1GB 184-DIMM
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB,SMC DIODE TVS 11V 1500W BIDIR 5% SMC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 38-TSSOP(0.240",6.10mm 寬) IC MCU 16BIT 8K FLASH 38-TSSOP
- 接口 - 編解碼器 ST-Ericsson Inc 100-VFBGA IC CODEC STEREO W/AMP 112VFBGA
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB DIODE TVS 200V 600W BI 10% SMB
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG LDO 1.8V/2.8V/3.8V 8MSOP
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 1GB 200-SODIMM
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS BI-DIR 11V 1500W SMC
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU 16BIT 8K FLASH 40-QFN
- 線槽,走線系統 - 附件 Panduit Corp 16-SSOP(0.154",3.90mm 寬) COVER RCWAY TC130 MD OWH10’
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AA,SMB TVS UNI-DIR 20V 600W SMB
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM
- FET - 單 STMicroelectronics TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS UNIDIRECT 1500W 120V SMC