欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線：13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話：13692101218

當前位置：網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SIB419DK-T1-GE3"的供應信息

SIB419DK-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
按地區：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SIB419DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V
功率_最大：13.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：帶卷 (TR)

SIB419DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V
功率_最大：13.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：剪切帶 (CT)

SIB419DK-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V
功率_最大：13.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝：Digi-Reel®

SIB419DK-T1-GE3供應商

查看更多SIB419DK-T1-GE3的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載：service@51dzw.com 　　
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳)：13751165337 13692101218 傳真：0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功！