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SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7489DP-T1-GE3供應商

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SMAJ14A-E3/61
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RT1206DRE0768K1L
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FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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