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SIA517DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 6V; 功率_最大：6.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：帶卷 (TR)

SIA517DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 6V; 功率_最大：6.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：剪切帶 (CT)

SIA517DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 6V; 功率_最大：6.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：Digi-Reel®

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RPE5C1H820J2P1Z03B
陶瓷 Murata Electronics North America 徑向 CAP CER 82PF 50V 5% RADIAL
S8VE-18024
AC DC 轉換器 Omron Electronics Inc-IA Div PWR SUPPLY 24V 7.5A 100-240VAC
RPP20-4824S-F
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 20W 36-75VIN 24VOUT
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 680PF 2KV 10% RADIAL