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SI7465DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：64 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7465DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：64 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7465DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：64 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
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陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 560PF 50V 5% NP0 1812
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
VJ1808Y103KXGAT
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1808

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