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SI7119DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7119DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7119DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
RNCP0603FTD1K78
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1.78K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
MDM-51SH034B
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 8"
RNF18FTD1R02
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.02 OHM 1% AXIAL
SCD334K122A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 0.33UF 1.2KVDC SCREW