SI6473DQ-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.08W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI6473DQ-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.08W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
- 連接器，互連器件 CUI Inc DO-200AA，A-PUK CONN DIN PLUG LOCKING IN-LINE 4P
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SENSOR PRESS DIFF 15PSI
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.82K OHM 1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 38.3K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE
- 單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 450A B-8
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SCC DIFF GAGE 0 PSID TO 15 PSID
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1M OHM 1% AXIAL
- 單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 400A B-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 40.2K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE
13510131896 
0755-23919407 
