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SI4410DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4410DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

SI4410DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4410DY,518詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A SOT96-1; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

SI4410DY,518詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A SOT96-1; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

SI4410DYPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

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FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
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顯示器模塊 - LCD，OLED 字符和數(shù)字 Varitronix 模塊 LCD 4 DIGIT .5" REFL
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陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 560PF 100V 10% NP0 0805
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
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振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-TESOP（0.110"，2.80mm 寬） OSC CMOS PROG 3.3V OE SMD

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