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SI6423DQ-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI6423DQ-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI6423DQ-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
SI6423DQ-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI6423DQ-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI6423DQ-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.2A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
- 接口 - UART（通用異步接收器/發送器） Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 16B QUAD 64LQFP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOD I/O IP67 8PT INPUTS NPN
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 STMicroelectronics 56-QFN IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 56QFN
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP 模塊 STAND ACCURACY TOTAL ERROR BAND
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（14 引線） CONV DC/DC 2W 09VIN +/-15VOUT
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 13A DPAK
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 24-SOIC （0.311"，7.90mm 寬） IC REAL TIME CLOCK 24-SOP
- 評估演示板和套件 Exar Corporation 68-LCC（J 形引線） EVAL BOARD FOR ST16C554D 64TQFP
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm） SENSOR PRES 5PSI DIFF 3.3V DIP
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊（14 引線） CONV DC/DC 2W 09VIN 15VOUT
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
- 微調器 Vishay BC Components 56-QFN TRIMMER 100K OHM 0.125W SMD
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 18-DIP（0.300"，7.62mm） IC RTC SER +-50PPM 18-DIP
- 接口 - UART（通用異步接收器/發送器） Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 16B QUAD 64LQFP
0755-83200050 
0755-23919407 
