SI5915DC-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI5915DC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 3.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
SI5915DC-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 3.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.02K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 9A INV 8DIP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.00K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 76.8 OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 909K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.21K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.16K OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC MOSFET DVR 9A HS INV 8-SOIJ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 909K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.32K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.27K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 鉭 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8