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SI5908DC-T1-E3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI5908DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5908DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5908DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

查看更多SI5908DC-T1-E3的供應(yīng)商

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SI5905DC-T1-GE3
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SHIPLBL-090-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 50/PK
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陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.022UF 50V 20% RADIAL
SR072A4R7DARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4.7PF 200V RADIAL
MS3100E16S-5SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3 POS WALL MNT W/SCKT
SHIPLBL-091-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 3X4" RED ON WHITE 50/PK
SR205E474MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.47UF 50V 20% RADIAL
SR072A560KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 56PF 200V 10% RADIAL
SXP100GSMTP
壓力 Honeywell Sensing and Control 8-SMD SENSOR 100PSI GAGE SMD
SI5908DC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N-CH 20V 1206-8

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