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SI4906DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4906DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4906DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4906DY-T1-GE3供應商

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FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
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TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 8.5V 5% SMA
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單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD-123
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DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 09VIN +/-15VOUT
SR151C182KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1800PF 100V 10% RADIAL
SRF 55V02P Y1/0
RFID IC Infineon Technologies - IC EEPROM 2KBIT INTELLIG Y1.0-2
SSQ-130-03-G-S-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 30POS R/A SGL AU