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SI4660DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4660DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4660DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4660DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：23.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4666DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1145pF @ 10V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4666DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1145pF @ 10V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SM6T18CA
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB IC TVS BIDIRECT 600W 19V SMB
SR215A270JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 50V 5% RADIAL
MNR14E0APJ244
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 240K OHM 4 RES 1206
RU-3.30505
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 1W 3.3VIN 0505VOUT
SI4660DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
RT200000
配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
SST-50-W45S-F21-J3401
LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
RU-3.30505/H
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 1W 3.3VIN 0505VOUT
SR215A331FAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 50V 1% RADIAL
SST-50-W57S-F21-GJ201
LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
RT200000
配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
RUE135
PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RUE SERIES 1.35A
SR215A331KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
SI4670DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
MNR14E0APJ301
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 300 OHM 4 RES 1206

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