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SI4670DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4670DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4670DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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RT200000
配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
SST-50-W65S-F21-J3101
LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
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FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC