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SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4463BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4463BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 13.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SI4462DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
RT0805CRD07294KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 294K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT0402CRE074K32L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 4.32KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7216DN-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
SR151A271JAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL
RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SH50T-1.4-220
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 徑向 INDUCTOR 220UH 1.4A 50KHZ THD
SI4410DY
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
SI7220DN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 1212-8
RT0402CRE074K42L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 4.42KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SH512S2P72
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SI4411DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SR151A271KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL

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