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SI4448DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12350pF @ 6V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4448DY-T1-GE3供應商

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SD57030-01
RF FET STMicroelectronics M250 TRANSISTOR RF PWR LDMOST M250
RNF18FTD15R8
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 15.8 OHM 1% AXIAL
MDM-51SH002P
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 12"
SI4448DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
RNCF1210BTE95K3
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES 95.3K OHM 1/5W 0.1% 1210
SI-70004-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） CONN MAGJACK 1PT/1USB-A SHLD
SI3452C-B01-GM
PMIC - 熱交換 Silicon Laboratories Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN
SCC5D23-5R6
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 5.6UH 1.44A 100KHZ
RNF18FTD169K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 169K OHM 1% AXIAL
MDM-51SH003L
D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
RNCF1210BTT200R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES 200 OHM 1/5W 0.1% 1210
SI3454CDV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
SI7100DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
SCC68681E1A44,518
接口 - UART（通用異步接收器/發送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引線） IC DUART 44PLCC
SD600R32PC
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE STD REC 3200V 600A B-8