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SI7100DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3810pF @ 4V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7100DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3810pF @ 4V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7100DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3810pF @ 4V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

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SI-70019-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） CONN MAGJACK 1PT/1USB-B SHLD Y/G
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套管 - 音頻 CUI Inc CONN AUDIO JACK 3.5MM STEREO
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