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SI4434DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4434DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4434DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4434DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4434DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4434DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4401BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
RTD-2415/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 24VIN +/-15VOUT
SI4434DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
RT0805CRD0722R6L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 22.6 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI7190DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC
RT0402CRE0743K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 43.2KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SH470M160ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 47UF 160V 20% RADIAL
SI4401DDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
SR151A270JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
RT0805CRD07232RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 232 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH50C-2.0-150
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 徑向 INDUCTOR 150UH 2.0A 50KHZ CLP
RT0402CRE0744R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 44.2 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7192DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI4403BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
SR151A270KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 100V 10% RADIAL

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