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SI7192DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7192DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7192DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7192DP-T1-GE3供應商

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SI7186DP-T1-GE3
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SR152A270GAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 200V 2% RADIAL
SMK325B7473KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 0.047UF 630V X7R 1210
MS3106F32-15S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS INLINE W/SKTS
SI1143-A10-GM
光學 - 光電探測器 - 環境光傳感器 Silicon Laboratories Inc 10-WFQFN IC SENSOR IR PROX/AMBIENT 10-QFN
SR201A681FAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 1% RADIAL
SIP110-PPPC-D13-ST-BK
矩形 - 內置，直接連接電路板 Sullins Connector Solutions CONN PLUG DIP IDC 26POS GOLD