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SI4411DY 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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SI4411DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SI4411DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

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