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SI1024X-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI1024X-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：Digi-Reel®

SI1024X-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：剪切帶 (CT)

SI1024X-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：帶卷 (TR)

SI1024X-T1-E3供應商

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