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RSR010N10TL 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RSR010N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：520 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
功率_最大：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-96
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：剪切帶 (CT)

RSR010N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：520 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
功率_最大：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-96
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：Digi-Reel®

RSR010N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：520 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
功率_最大：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-96
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：帶卷 (TR)

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