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RSD200N10TL 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RSD200N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
功率_最大：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：CPT3
包裝：剪切帶 (CT)

RSD200N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
功率_最大：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：CPT3
包裝：Digi-Reel®

RSD200N10TL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
功率_最大：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：CPT3
包裝：帶卷 (TR)

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