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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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RP1L055SNTR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RP1L055SNTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：730pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：Digi-Reel®

RP1L055SNTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：730pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：剪切帶 (CT)

RP1L055SNTR詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：730pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：帶卷 (TR)

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