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RN1406S,LF詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI; 系列：-; 制造商：Toshiba; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S-Mini; 包裝：剪切帶 (CT)

RN1406S,LF詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI; 系列：-; 制造商：Toshiba; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S-Mini; 包裝：Digi-Reel®

RN1406S,LF詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI; 系列：-; 制造商：Toshiba; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S-Mini; 包裝：帶卷 (TR)

RN1406T5LFT詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI; 系列：-; 制造商：Toshiba; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：S-Mini; 包裝：帶卷 (TR)

MA3J741DGL
二極管，整流器 - 陣列 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-85 DIODE SCHOTTKY 30V 20MA SMINI
RG1005P-5760-C-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402（1005 公制） RES 576 OHM 1/16W .25% 0402
RN1406S,LF
晶體管(BJT) - 單路 Toshiba TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI
RG1005N-6040-B-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402（1005 公制） RES 604 OHM 1/16W .1% 0402
RFP30N06LE
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
RG2012P-8660-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 866 OHM 1/8W .05% 0805
RG3216P-7870-C-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 1206（3216 公制） RES 787 OHM 1/4W .25% 1206
RM2012B-102/253-PBVW10
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Susumu 0805（2012 公制） RES ARRAY MULT OHM 2 RES 0805
MA3J7420GL
二極管，整流器 - 陣列 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-85 DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P
RFP50N05L
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
RG1005P-5761-C-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402（1005 公制） RES 5.76K OHM 1/16W .25% 0402
RG2012P-8662-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 86.6K OHM 1/8W .05% 0805
RG3216P-7871-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 1206（3216 公制） RES 7.87K OHM 1/4W .5% 1206
MA3J7420GL
二極管，整流器 - 陣列 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-85 DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P
RM2012B-102/302-PBVW10
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Susumu 0805（2012 公制） RES ARRAY MULT OHM 2 RES 0805

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RN1406T5LFT詳細(xì)規(guī)格

RN1406供應(yīng)商

MA3J741DGL

RG1005P-5760-C-T10

RN1406S,LF

RG1005N-6040-B-T1

RFP30N06LE

RG2012P-8660-W-T1

RG3216P-7870-C-T5

RM2012B-102/253-PBVW10

MA3J7420GL

RFP50N05L

RG1005P-5761-C-T10

RG2012P-8662-W-T1

RG3216P-7871-D-T5

MA3J7420GL

RM2012B-102/302-PBVW10