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RN1406S,LF 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RN1406S,LF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI
系列：-
制造商：Toshiba
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：250MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：S-Mini
包裝：剪切帶 (CT)

RN1406S,LF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI
系列：-
制造商：Toshiba
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：250MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：S-Mini
包裝：Digi-Reel®

RN1406S,LF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI
系列：-
制造商：Toshiba
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：250MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：S-Mini
包裝：帶卷 (TR)

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