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RDN100N20 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RDN100N20詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫歐 @ 5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：543pF @ 10V
功率_最大：35W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FN
包裝：散裝

RDN100N20FU6詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫歐 @ 5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：543pF @ 10V
功率_最大：35W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FN
包裝：散裝

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