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QS6K1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：238 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6; 包裝：帶卷 (TR)

QS6K1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：238 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

QS6K1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：238 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：77pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSMT6; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 陣列 Rohm Semiconductor SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
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評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Texas Instruments SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 BOARD EVALUATION LP5996SD-3333
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DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 15W 48VIN 12VOUT
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