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PSMN130-200D,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 20A SOT428; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

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PSMN130-200D,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 20A SOT428; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

PSMN102-200Y,115
FET - 單 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
PE4251MLI-Z
RF 開關 Peregrine Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 IC RF SWITCH SPDT 8-MSOP
PESD5V0V4UK,132
TVS - 二極管 NXP Semiconductors 6-XFDFN DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891
PH-HA1
配件 OKI/Metcal ASSEMBLY PREHEATER
MS3124E16-26PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS JAM NUT W/PINS
PCN10C-64S-2.54DS(72)
背板 - DIN 41612 Hirose Electric Co Ltd CONN DIN RCPT 64POS DUAL RT ANG
PD0070WH12138BH1
陶瓷 Vishay Beyschlag 軸向 CAP CER 120PF 13KV 20% CHASSIS
MS3456L24-20S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 11POS STRAIGHT W/SCKT
PESD5V0X1BL,315
TVS - 二極管 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882
PH-HA1
配件 OKI/Metcal ASSEMBLY PREHEATER
MS3124E16-26S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 26POS JAM NUT W/SCKT
PD0070WH16133BH1
陶瓷 Vishay Beyschlag 軸向 CAP CER 160PF 13KV 5% CHASSIS
PCN10MC-64P-2.54DS
背板 - DIN 41612 Hirose Electric Co Ltd DIN CONN HEADER 64POS 2ROW R/A
MS3456L24-22SLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 4POS STRGHT SCKT
PESD5V0X1BL,315
TVS - 二極管 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882

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