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PSMN102-200Y,115 全國供應商、價格、PDF資料

PSMN102-200Y,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：102 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1568pF @ 30V; 功率_最大：113W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8; 包裝：帶卷 (TR)

PSMN102-200Y,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：102 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1568pF @ 30V; 功率_最大：113W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8; 包裝：剪切帶 (CT)

PSMN102-200Y,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：102 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1568pF @ 30V; 功率_最大：113W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8; 包裝：Digi-Reel®

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PSMN057-200B,118
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PE4251MLI-Z
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PH-HA1
配件 OKI/Metcal ASSEMBLY PREHEATER
MS3124E16-26PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS JAM NUT W/PINS
PCN10C-64S-2.54DS(72)
背板 - DIN 41612 Hirose Electric Co Ltd CONN DIN RCPT 64POS DUAL RT ANG
PD0070WH12138BH1
陶瓷 Vishay Beyschlag 軸向 CAP CER 120PF 13KV 20% CHASSIS

復制成功！

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