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NTD3055L170詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD3055L170-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD3055L170-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD3055L170G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD3055L170T4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：剪切帶 (CT)

NTD3055L170T4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：帶卷 (TR)

IDT72235LB10TF8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 10NS 64TQFP
OA92AP-11-1WB
風扇 - AC Orion Fans 軸向 FAN AC 92X26MM 115V 35CFM
OF565J
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 5.6M OHM .5W CARB COMP
NTD3055L170
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
OA56GKE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 5.6 OHM 1W CARB COMP
OPA2836IDGSEVM
評估板 - 運算放大器 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） EVAL MOD FOR OPA2836 VSSOP/MSOP
NLV32T-331J-PF
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 330UH 1210
ICS9DB433AFLFT
時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC CLK FANOUT/BUFF ZD 28SSOP
IDT72235LB15PF
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 15NS 64TQFP
OF565JE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 5.6M OHM .5W CARB COMP
OPA2846IDR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP VFB 1.65GHZ DUAL 8SOIC
OA5920-12TB
風扇 - AC Orion Fans 軸向 FAN 120VAC 172X150X50.8MM 180CFM
ICS9DB633AFLFT
時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC CLK FANOUT/BUFF ZD 28SSOP
NLV32T-6R8J-PF
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 6.8UH 1210
IDT72235LB15PFI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 15NS 64TQFP