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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NSBA114TDXV6T5 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NSBA114TDXV6T5詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：10k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

NSBA114TDXV6T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：10k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

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