NE3503M04-A詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：HFET
- 頻率：12GHz
- 增益：12dB
- 電壓_測試：2V
- 額定電流：70mA
- 噪音數據：0.45dB
- 電流_測試：10mA
- 功率_輸出：-
- 電壓_額定：4V
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：SOT-343
- 包裝：散裝
NE3503M04-T2-A詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：HFET
- 頻率：12GHz
- 增益：12dB
- 電壓_測試：2V
- 額定電流：70mA
- 噪音數據：0.45dB
- 電流_測試：10mA
- 功率_輸出：-
- 電壓_額定：4V
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：SOT-343
- 包裝：帶卷 (TR)
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH 16-QFN
- RF FET CEL 微型-X 陶瓷 84C HJ-FET 20GHZ MICRO-X
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
0755-83200050 
0755-23919407 
