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NOSA226M002R0900詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：22µF; 電壓_額定：2.5V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：900 毫歐; 電流_泄漏電流：1.1µA; 耗散因數：6%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代碼：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：帶卷 (TR)

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MFR-25FRF-47K5
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
NOSA156M004R1500
氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
NLCV32T-R22M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
NLAS9099MN1R2G
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH 16-QFN
NE350184C
RF FET CEL 微型-X 陶瓷 84C HJ-FET 20GHZ MICRO-X
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
HM2P87PKA1M1GF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
MFR-25FRF-4K42
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NLCV32T-R47M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
NLAST4051DR2
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE3503M04-T2-A
RF FET CEL SC-82A，SOT-343 AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
HM2P88PD8110N9
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
MFR-25FRF-536R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R