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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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MUN5235DW1T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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MUN5235DW1T1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363
包裝：帶卷 (TR)

MUN5235DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363
包裝：帶卷 (TR)

MUN5235DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363
包裝：剪切帶 (CT)

MUN5235DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363
包裝：Digi-Reel®

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