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MT29F8G08ABABAWP:B詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FLASH NAND 8GB 48TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存儲器：閃存; 存儲器類型：閃存 - NAND; 存儲容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）; 供應商器件封裝：48-TSOP I; 包裝：散裝

MT29F8G08ABABAWP:B TR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FLASH NAND 8GB 48TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存儲器：閃存; 存儲器類型：閃存 - NAND; 存儲容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）; 供應商器件封裝：48-TSOP I; 包裝：帶卷 (TR)

MT29F8G08ABABAWP:B TR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FLASH NAND 8GB 48TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存儲器：閃存; 存儲器類型：閃存 - NAND; 存儲容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）; 供應商器件封裝：48-TSOP I; 包裝：剪切帶 (CT)

MT29F8G08ABABAWP:B TR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FLASH NAND 8GB 48TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存儲器：閃存; 存儲器類型：閃存 - NAND; 存儲容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）; 供應商器件封裝：48-TSOP I; 包裝：Digi-Reel®

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MT5VDDT1672HY-335F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
MCR18EZHF20R5
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MCR03EZPJ304
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F8G08ABABAWP:B
存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
HF50ACB321611-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
MX25L6406EMI-12G
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MVA50VC10RME55TP
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OMNI242
RF 天線 RFM 3-SIP ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
MT5VDDT3272AY-335F1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 256MB 184-DIMM
MCR03EZPJ334
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
HF50ACC321611-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
MX25U1635EZUI-10G
存儲器 Macronix 8-UDFN 裸露焊盤 IC FLASH SER 16MB 104MHZ 8USON
OMNI249
RF 天線 RFM 3-SIP ANTENNA 2.4GHZ 9DBI OMNI N-CONN
MVA50VC47RMF80TP
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
MCR18EZHF2101
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 2.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD