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MJD41CTF 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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MJD41CTF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 100V 6A DPAK
系列：-
制造商：Fairchild Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 600mA，6A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 3A，4V
功率_最大：1.75W
頻率_轉換：3MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

MJD41CTF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 100V 6A DPAK
系列：-
制造商：Fairchild Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 600mA，6A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 3A，4V
功率_最大：1.75W
頻率_轉換：3MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：剪切帶 (CT)

MJD41CTF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 100V 6A DPAK
系列：-
制造商：Fairchild Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 600mA，6A
電流_集電極截止（最大）：10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 3A，4V
功率_最大：1.75W
頻率_轉換：3MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：Digi-Reel®

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